SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.40 грн |
| 500+ | 13.48 грн |
| 1000+ | 12.37 грн |
| 5000+ | 12.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS932EDN-T1-GE3 за ціною від 12.29 грн до 47.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIS932EDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS932EDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 16011 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS932EDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIS932EDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SIS932EDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
товару немає в наявності |