Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS932EDN-T1-GE3
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis932edn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.58 грн
10+36.22 грн
100+25.19 грн
500+18.46 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS932EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SIS932EDN-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY sis932edn.pdf Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis932edn.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 VISH-S-A0011029507-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIS932EDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.