Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS9634LDN-T1-GE3

SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sis9634ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+39.76 грн
6000+36.46 грн
9000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIS9634LDN-T1-GE3 за ціною від 29.96 грн до 133.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIS9634LDN-T1-GE3 SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis9634ldn.pdf Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+75.75 грн
100+58.90 грн
500+46.85 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 SIS9634LDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sis9634ldn.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.21 грн
10+84.30 грн
100+48.84 грн
500+38.62 грн
1000+35.31 грн
3000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 sis9634ldn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: DUAL N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 17.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 11930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+75.75 грн
100+58.90 грн
500+46.85 грн
1000+38.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9634LDN-T1-GE3 sis9634ldn.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs POWRPK N CHAN 60V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+133.21 грн
10+84.30 грн
100+48.84 грн
500+38.62 грн
1000+35.31 грн
3000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.