Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS990DN-T1-GE3
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis990dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.72 грн
6000+23.89 грн
9000+22.95 грн
15000+20.55 грн
21000+19.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIS990DN-T1-GE3 за ціною від 23.16 грн до 102.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis990dn.pdf MOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 17271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.75 грн
10+54.70 грн
100+36.09 грн
500+29.55 грн
1000+25.87 грн
3000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis990dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 43220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.49 грн
10+62.08 грн
100+41.25 грн
500+30.30 грн
1000+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis990dn-348526.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 27791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.