SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.00 грн |
| 6000+ | 24.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIS990DN-T1-GE3 за ціною від 21.61 грн до 88.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 13969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 18830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIS990DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 12.1 A, 12.1 A, 0.071 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 12.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.071ohm Verlustleistung, p-Kanal: 25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.071ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 27791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SIS990DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |