Продукція > VISHAY SILICONIX > SIS990DN-T1-GE3
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sis990dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+24.23 грн
6000+ 22.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIS990DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SIS990DN-T1-GE3 за ціною від 21.76 грн до 64.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sis990dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 13969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.5 грн
10+ 46.11 грн
100+ 35.89 грн
500+ 28.55 грн
1000+ 23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sis990dn.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 18830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.49 грн
10+ 51.75 грн
100+ 35.05 грн
500+ 29.71 грн
1000+ 24.23 грн
3000+ 22.77 грн
6000+ 21.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIS990DN-T1-GE3 SIS990DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sis990dn-348526.pdf MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 27791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIS990DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sis990dn.pdf SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товар відсутній