Продукція > VISHAY > SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3 Vishay

sisa01dn.pdf Виробник: Vishay
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA01DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA01DN-T1-GE3 за ціною від 19.51 грн до 70.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa01dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa01dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V
на замовлення 5217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.66 грн
10+ 51.18 грн
100+ 35.42 грн
500+ 27.77 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa01dn-1766634.pdf MOSFET -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.85 грн
10+ 60.27 грн
100+ 40.19 грн
500+ 31.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISA01DN-T1-GE3 SISA01DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2579987.pdf Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 9698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.85 грн
13+ 58.79 грн
100+ 37.37 грн
500+ 29.07 грн
1000+ 20.48 грн
5000+ 19.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
SISA01DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa01dn.pdf SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній