Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISA01DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12596621-3
Price: 67140.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	22.38 грн
6000+	19.97 грн
9000+	19.17 грн
15000+	17.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISA01DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISA01DN-T1-GE3 за ціною від 20.57 грн до 94.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISA01DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0011029522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	42.52 грн
500+	30.81 грн
1500+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	78.04 грн
10+	51.92 грн
100+	31.27 грн
500+	27.34 грн
1000+	24.16 грн
3000+	21.68 грн
6000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.98 грн
10+	52.72 грн
100+	34.83 грн
500+	25.49 грн
1000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	94.23 грн
50+	62.98 грн
100+	42.52 грн
500+	30.81 грн
1500+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	42.52 грн
500+	30.81 грн
1500+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 20006 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	78.04 грн
10+	51.92 грн
100+	31.27 грн
500+	27.34 грн
1000+	24.16 грн
3000+	21.68 грн
6000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V

на замовлення 18845 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	86.98 грн
10+	52.72 грн
100+	34.83 грн
500+	25.49 грн
1000+	23.17 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA01DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA01DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 2098 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
9+	94.23 грн
50+	62.98 грн
100+	42.52 грн
500+	30.81 грн
1500+	25.89 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.