Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISA04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 3063465-3
Price: 103020.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	34.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISA04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm.

Інші пропозиції SISA04DN-T1-GE3 за ціною від 29.96 грн до 134.50 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 5224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.81 грн
10+	77.25 грн
100+	51.90 грн
500+	38.49 грн
1000+	35.20 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

на замовлення 27099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	129.67 грн
10+	80.98 грн
100+	46.87 грн
500+	38.45 грн
1000+	33.69 грн
3000+	30.86 грн
6000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001798660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	134.50 грн
10+	86.18 грн
100+	57.75 грн
500+	42.40 грн
1000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 5224 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	125.81 грн
10+	77.25 грн
100+	51.90 грн
500+	38.49 грн
1000+	35.20 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs For New Design See: 78-SISHA04DN-T1-GE3

на замовлення 27099 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	129.67 грн
10+	80.98 грн
100+	46.87 грн
500+	38.45 грн
1000+	33.69 грн
3000+	30.86 грн
6000+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA04DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm

на замовлення 3167 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	134.50 грн
10+	86.18 грн
100+	57.75 грн
500+	42.40 грн
1000+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.