SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA10BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 63W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 63W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SISA10BDN-T1-GE3 за ціною від 25.19 грн до 92.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA10BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 63W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISA10BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 30-V MSFT |
на замовлення 11292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISA10BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE |
на замовлення 5770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISA10BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA10BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 104A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|