Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA10DN-T1-GE3
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa10dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA10DN-T1-GE3 за ціною від 29.61 грн до 114.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa10dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.64 грн
10+70.22 грн
100+54.76 грн
500+42.46 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa10dn.pdf MOSFETs For New Design See: 78-SISHA10DN-T1-GE3
на замовлення 3955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.29 грн
10+74.69 грн
100+44.27 грн
500+35.85 грн
1000+32.65 грн
3000+29.75 грн
6000+29.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa10dn.pdf SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa10dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa10dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa10dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.