Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA12ADN-T1-GE3
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa12adn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 28W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm.

Інші пропозиції SISA12ADN-T1-GE3 за ціною від 22.44 грн до 111.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisa12adn.pdf MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
на замовлення 17968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.94 грн
10+50.17 грн
100+30.38 грн
500+25.20 грн
1000+22.85 грн
3000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa12adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.95 грн
10+65.96 грн
100+43.93 грн
500+32.34 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY sisa12adn.pdf Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.95 грн
12+71.36 грн
100+47.28 грн
500+34.48 грн
1000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
SISA12ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
на замовлення 17968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.94 грн
10+50.17 грн
100+30.38 грн
500+25.20 грн
1000+22.85 грн
3000+22.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
SISA12ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 4549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.95 грн
10+65.96 грн
100+43.93 грн
500+32.34 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
SISA12ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 28W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+111.95 грн
12+71.36 грн
100+47.28 грн
500+34.48 грн
1000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.