Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA12ADN-T1-GE3
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa12adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.06 грн
6000+ 19.21 грн
9000+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA12ADN-T1-GE3 за ціною від 21.37 грн до 64.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa12adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 20068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.47 грн
10+ 46.27 грн
100+ 32.03 грн
500+ 25.11 грн
1000+ 21.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa12adn.pdf MOSFET For New Design See: 78-SISHA12ADN-T1-GE3
на замовлення 18549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.5 грн
10+ 48.86 грн
100+ 32.83 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 22.04 грн
3000+ 21.64 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISA12ADN-T1-GE3 SISA12ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0000765273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA12ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.0032 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 3263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+64.32 грн
15+ 52.14 грн
100+ 36.83 грн
500+ 28.37 грн
1000+ 23.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
SISA12ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa12adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SISA12ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa12adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 80A; 18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 18W
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній