SISA12BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 26.73 грн |
| 6000+ | 24.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA12BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA.
Інші пропозиції SISA12BDN-T1-GE3 за ціною від 25.25 грн до 110.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISA12BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA12BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24A |
на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|