SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.42 грн |
| 6000+ | 16.15 грн |
| 9000+ | 14.70 грн |
| 15000+ | 13.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISA14DN-T1-GE3 за ціною від 15.62 грн до 43.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
на замовлення 18051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3 |
на замовлення 60580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISA14DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 80A; 17W Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: TrenchFET® Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 29nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 17W Drain current: 20A Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 80A Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |