Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA14DN-T1-GE3
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa14dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.00 грн
6000+16.69 грн
9000+15.19 грн
15000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA14DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA14DN-T1-GE3 за ціною від 16.14 грн до 45.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.06 грн
27+27.61 грн
36+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa14dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 18051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.93 грн
11+32.13 грн
100+25.14 грн
500+21.66 грн
1000+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sisa14dn.pdf MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
на замовлення 60580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.22 грн
11+35.75 грн
100+24.36 грн
500+22.39 грн
1000+20.25 грн
3000+16.77 грн
6000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 SISA14DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa14dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.