 
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 14.23 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA18ADN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції SISA18ADN-T1-GE3 за ціною від 13.21 грн до 71.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 10582 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | на замовлення 43065 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 10582 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V | на замовлення 13611 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | на замовлення 3 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 Код товару: 117652 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |  Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | ||||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R | товару немає в наявності |