Продукція > VISHAY > SISA18ADN-T1-GE3
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3 Vishay

sisa18adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA18ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISA18ADN-T1-GE3 за ціною від 12.70 грн до 69.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa18adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa18adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.69 грн
6000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.04 грн
500+22.71 грн
1500+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa18adn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 43065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.67 грн
14+25.83 грн
100+14.97 грн
3000+12.84 грн
6000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+53.43 грн
50+41.58 грн
100+31.04 грн
500+22.71 грн
1500+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa18adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 13611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.07 грн
10+41.44 грн
100+26.90 грн
500+19.38 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa18adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3
Код товару: 117652
Додати до обраних Обраний товар

sisa18adn.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa18adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa18adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa18adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa18adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.