Інші пропозиції SISA18ADN-T1-GE3 за ціною від 14.64 грн до 88.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V |
на замовлення 13611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 42094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 38.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |