Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SISA18ADN-T1-GE3
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

sisa18adn.pdf
Код товару: 117652
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SISA18ADN-T1-GE3 за ціною від 14.46 грн до 87.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa18adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
6000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.15 грн
500+24.60 грн
1500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa18adn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.53 грн
100+26.32 грн
500+18.96 грн
1000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.96 грн
50+51.95 грн
100+34.15 грн
500+24.60 грн
1500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 SISA18ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisa18adn.pdf MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 42094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+54.46 грн
100+31.13 грн
500+23.95 грн
1000+21.68 грн
3000+19.05 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
SISA18ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.33 грн
6000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+34.15 грн
500+24.60 грн
1500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
SISA18ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.57 грн
10+40.53 грн
100+26.32 грн
500+18.96 грн
1000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 VISH-S-A0001807469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+82.96 грн
50+51.95 грн
100+34.15 грн
500+24.60 грн
1500+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
SISA18ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 42094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.79 грн
10+54.46 грн
100+31.13 грн
500+23.95 грн
1000+21.68 грн
3000+19.05 грн
6000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.