Інші пропозиції SISA18ADN-T1-GE3 за ціною від 14.57 грн до 88.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 13611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 19.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISA18ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 42094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|