Продукція > VISHAY > SISA26DN-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3 VISHAY

sisa26dn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.41 грн
500+27.66 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA26DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISA26DN-T1-GE3 за ціною від 19.57 грн до 82.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa26dn.pdf Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 0.00215 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.19 грн
18+46.05 грн
100+33.59 грн
500+23.76 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.42 грн
10+61.46 грн
100+47.12 грн
500+34.96 грн
1000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa26dn.pdf MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.40 грн
10+53.38 грн
100+32.00 грн
500+26.41 грн
1000+23.10 грн
3000+21.19 грн
9000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISA26DN-T1-GE3 SISA26DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa26dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.