SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.19 грн |
| 10+ | 60.80 грн |
| 100+ | 40.29 грн |
| 500+ | 29.54 грн |
| 1000+ | 26.87 грн |
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Технічний опис SISA26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm.
Інші пропозиції SISA26DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SISA26DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm |
на замовлення 4076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SISA26DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm |
на замовлення 4076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SISA26DN-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SISA26DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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SVHC: Lead (04-Feb-2026)
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на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SISA26DN-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
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на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)