SISA26DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 42.61 грн |
| 500+ | 28.49 грн |
| 1000+ | 23.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISA26DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 39W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm.
Інші пропозиції SISA26DN-T1-GE3 за ціною від 20.99 грн до 101.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISA26DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISA26DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 39W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm |
на замовлення 4076 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISA26DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.67 грн |
| 10+ | 59.98 грн |
| 100+ | 45.99 грн |
| 500+ | 34.12 грн |
| 1000+ | 27.29 грн |
| SISA26DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.48 грн |
| 10+ | 63.35 грн |
| 100+ | 36.52 грн |
| 500+ | 28.58 грн |
| 1000+ | 25.96 грн |
| 3000+ | 22.64 грн |
| 6000+ | 20.99 грн |
| SISA26DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
Description: VISHAY - SISA26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 4076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 101.48 грн |
| 13+ | 64.27 грн |
| 100+ | 42.61 грн |
| 500+ | 28.49 грн |
| 1000+ | 23.89 грн |