Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA35DN-T1-GE3

SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISA35DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 11581604-3
Price: 29550.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	9.85 грн
6000+	8.91 грн
9000+	8.55 грн
15000+	7.75 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SISA35DN-T1-GE3 за ціною від 7.73 грн до 54.04 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISA35DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 5795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.53 грн
500+	18.10 грн
1500+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

на замовлення 92829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	35.20 грн
13+	26.44 грн
100+	13.94 грн
1000+	9.46 грн
3000+	8.84 грн
9000+	7.87 грн
24000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0497
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	39.87 грн
28+	29.64 грн
31+	26.82 грн
50+	22.29 грн
100+	18.02 грн
500+	15.81 грн
1000+	14.08 грн
2500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 21 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 15404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.04 грн
12+	26.62 грн
100+	14.49 грн
500+	12.37 грн
1000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0012815754-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 5795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.04 грн
50+	33.18 грн
100+	21.58 грн
500+	15.33 грн
1500+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)

на замовлення 5795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	25.53 грн
500+	18.10 грн
1500+	15.05 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8

на замовлення 92829 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	35.20 грн
13+	26.44 грн
100+	13.94 грн
1000+	9.46 грн
3000+	8.84 грн
9000+	7.87 грн
24000+	7.73 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 42AJ0497
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
SVHC: To Be Advised

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
21+	39.87 грн
28+	29.64 грн
31+	26.82 грн
50+	22.29 грн
100+	18.02 грн
500+	15.81 грн
1000+	14.08 грн
2500+	13.25 грн

Мінімальне замовлення: 21 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 15404 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7+	45.04 грн
12+	26.62 грн
100+	14.49 грн
500+	12.37 грн
1000+	11.09 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

SISA35DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.019 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 24W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm

на замовлення 5795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	54.04 грн
50+	33.18 грн
100+	21.58 грн
500+	15.33 грн
1500+	12.70 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.