Продукція > VISHAY SILICONIX > SISA35DN-T1-GE3
SISA35DN-T1-GE3

SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa35dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 4773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.14 грн
12+ 24.9 грн
100+ 14.95 грн
500+ 12.99 грн
1000+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISA35DN-T1-GE3 за ціною від 7.3 грн до 38.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa35dn.pdf MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) PowerPAK 1212-8
на замовлення 92829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.95 грн
13+ 25.5 грн
100+ 13.45 грн
1000+ 9.12 грн
3000+ 8.52 грн
9000+ 7.59 грн
24000+ 7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2893305.pdf Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 26130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.17 грн
27+ 28.39 грн
100+ 15.39 грн
500+ 11.65 грн
1000+ 8.26 грн
5000+ 7.3 грн
Мінімальне замовлення: 20
SISA35DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa35dn.pdf P Channel MOSFET
товар відсутній
SISA35DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa35dn.pdf SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa35dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній