Продукція > VISHAY > SISA72ADN-T1-GE3
SISA72ADN-T1-GE3

SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY

sisa72adn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.95 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 21.63 грн
3000+ 21.44 грн
6000+ 21.25 грн
12000+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SISA72ADN-T1-GE3 за ціною від 20.8 грн до 61.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisa72adn-1766867.pdf MOSFET 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 10977 шт:
термін постачання 618-627 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.09 грн
10+ 49.75 грн
100+ 33.11 грн
500+ 26.24 грн
1000+ 21.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa72adn.pdf Description: VISHAY - SISA72ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 94 A, 0.00271 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00271ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 22940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.19 грн
15+ 51.45 грн
100+ 35.95 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 21.63 грн
3000+ 21.44 грн
6000+ 21.25 грн
12000+ 20.8 грн
Мінімальне замовлення: 13
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa72adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
на замовлення 3528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SISA72ADN-T1-GE3 SISA72ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa72adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 25.4A/94A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SISA72ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa72adn.pdf SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній