Продукція > VISHAY > SISA72DN-T1-GE3
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3 Vishay

sisa72dn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
777+18.26 грн
785+18.08 грн
797+17.80 грн
805+16.99 грн
810+15.63 грн
1000+14.85 грн
3000+14.83 грн
6000+14.82 грн
15000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 777 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISA72DN-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SISA72DN-T1-GE3 за ціною від 14.83 грн до 109.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa72dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.62 грн
6000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 Vishay sisa72dn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.07 грн
40+18.91 грн
42+17.43 грн
100+15.90 грн
250+15.11 грн
500+15.00 грн
1000+14.85 грн
3000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa72dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.27 грн
10+64.07 грн
100+42.57 грн
500+31.29 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 SISA72DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisa72dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 131097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.16 грн
10+61.59 грн
100+30.17 грн
500+24.23 грн
1000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
SISA72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+27.62 грн
6000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
SISA72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 18390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+35.07 грн
40+18.91 грн
42+17.43 грн
100+15.90 грн
250+15.11 грн
500+15.00 грн
1000+14.85 грн
3000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
SISA72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 20 V
на замовлення 7173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+105.27 грн
10+64.07 грн
100+42.57 грн
500+31.29 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
SISA72DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 131097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.16 грн
10+61.59 грн
100+30.17 грн
500+24.23 грн
1000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.