Продукція > VISHAY SILICONIX > SiSA96DN-T1-GE3
SiSA96DN-T1-GE3

SiSA96DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisa96dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.54 грн
6000+ 8.72 грн
9000+ 8.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiSA96DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SiSA96DN-T1-GE3 за ціною від 9.64 грн до 32.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SiSA96DN-T1-GE3 SiSA96DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisa96dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1385 pF @ 15 V
на замовлення 13262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.16 грн
12+ 23.3 грн
100+ 16.19 грн
500+ 11.86 грн
1000+ 9.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
SiSA96DN-T1-GE3 SiSA96DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sisa96dn-1766176.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 24732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.25 грн
12+ 27.26 грн
100+ 17.76 грн
500+ 13.95 грн
1000+ 10.82 грн
3000+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
SiSA96DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisa96dn.pdf SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SISA96DN-T1-GE3 SISA96DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisa96dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товар відсутній