Продукція > VISHAY > SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3 VISHAY

sisb46dn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.67 грн
500+31.26 грн
1000+26.14 грн
5000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISB46DN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SISB46DN-T1-GE3 за ціною від 23.29 грн до 101.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisb46dn.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 27240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.29 грн
10+61.22 грн
100+36.33 грн
500+30.39 грн
1000+27.04 грн
6000+26.12 грн
9000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisb46dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.34 грн
10+60.93 грн
100+40.22 грн
500+29.39 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisb46dn.pdf Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 9700 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.68 грн
14+63.48 грн
100+43.49 грн
500+31.97 грн
1000+26.44 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisb46dn.pdf SISB46DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 SISB46DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisb46dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 23W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.