SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 27240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.45 грн |
| 10+ | 53.53 грн |
| 100+ | 31.77 грн |
| 500+ | 26.57 грн |
| 1000+ | 23.64 грн |
| 6000+ | 22.84 грн |
| 9000+ | 22.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISB46DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 27.3A, On-state resistance: 15.8mΩ, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 14.8W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 22nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -16...20V, Pulsed drain current: 70A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISB46DN-T1-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
товар відсутній |
|
|
|
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8 |
товар відсутній |
|
| SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A |
товар відсутній |