SISB46DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.75 грн |
| 500+ | 28.42 грн |
| 1000+ | 26.03 грн |
| 5000+ | 25.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISB46DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 23W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 23W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SISB46DN-T1-GE3 за ціною від 24.45 грн до 96.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 27240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISB46DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0097ohm Verlustleistung, p-Kanal: 23W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0097ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 23W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 9353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 23W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.71mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISB46DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 27.3A On-state resistance: 15.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 14.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 70A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |