Продукція > VISHAY SILICONIX > SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisf00dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+47.52 грн
6000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 69.4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SISF00DN-T1-GE3 за ціною від 48.35 грн до 167.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisf00dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.36 грн
10+103.18 грн
100+70.18 грн
500+52.61 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisf00dn.pdf MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 15149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 sisf00dn.pdf
SISF00DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.36 грн
10+103.18 грн
100+70.18 грн
500+52.61 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 sisf00dn.pdf
SISF00DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 15149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.