Продукція > VISHAY SILICONIX > SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisf00dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.39 грн
6000+38.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISF00DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 69.4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual, Part Status: Active.

Інші пропозиції SISF00DN-T1-GE3 за ціною від 40.59 грн до 152.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisf00dn.pdf MOSFETs 30V (S1-S2) Cmn Drn PowerPAK 1212-8SCD
на замовлення 21022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.46 грн
10+85.24 грн
100+59.01 грн
500+50.27 грн
1000+41.32 грн
3000+40.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 SISF00DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisf00dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 69.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Dual
Part Status: Active
на замовлення 16910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.43 грн
10+93.73 грн
100+63.34 грн
500+47.23 грн
1000+43.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sisf00dn.pdf SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.