SISF02DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 69.13 грн |
| 500+ | 54.38 грн |
| 1000+ | 44.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISF02DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції SISF02DN-T1-GE3 за ціною від 40.92 грн до 121.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISF02DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET COMMON-DRAIN DUAL N-CH 25V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISF02DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISF02DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 60 A, 60 A, 0.0027 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 3578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
| SISF02DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Ta), 60A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD Part Status: Active |
товар відсутній |