Продукція > VISHAY SILICONIX > SISF04DN-T1-GE3

SISF04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12417583-3
Price: 114780.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	38.26 грн
6000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISF04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SISF04DN-T1-GE3 за ціною від 34.72 грн до 140.94 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISF04DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0011905893-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.73 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	131.28 грн
10+	81.77 грн
100+	48.05 грн
500+	38.04 грн
1000+	35.21 грн
3000+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SCD
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 108A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SCD
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 11206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	139.79 грн
10+	85.41 грн
100+	57.53 грн
500+	42.77 грн
1000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	140.94 грн
10+	89.40 грн
100+	60.73 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	60.73 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F

на замовлення 5040 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	131.28 грн
10+	81.77 грн
100+	48.05 грн
500+	38.04 грн
1000+	35.21 грн
3000+	34.72 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

на замовлення 11206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	139.79 грн
10+	85.41 грн
100+	57.53 грн
500+	42.77 грн
1000+	39.16 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISF04DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISF04DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 108 A, 108 A, 3000 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 108A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3000µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 69.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SCD
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3000µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 69.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 326 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
6+	140.94 грн
10+	89.40 грн
100+	60.73 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.