SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.59 грн |
| 6000+ | 21.94 грн |
| 9000+ | 21.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH103DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 41.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm.
Інші пропозиції SISH103DN-T1-GE3 за ціною від 20.60 грн до 98.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH103DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISH103DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V |
на замовлення 10639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISH103DN-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 10422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISH103DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 41.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISH103DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.22 грн |
| 500+ | 27.46 грн |
| 1000+ | 23.04 грн |
| SISH103DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
Description: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 15 V
на замовлення 10639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.05 грн |
| 10+ | 57.87 грн |
| 100+ | 38.26 грн |
| 500+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 25.45 грн |
| SISH103DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.57 грн |
| 10+ | 61.43 грн |
| 100+ | 35.33 грн |
| 500+ | 27.58 грн |
| 1000+ | 25.07 грн |
| 3000+ | 21.79 грн |
| 6000+ | 20.60 грн |
| SISH103DN-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
Description: VISHAY - SISH103DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 54 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 41.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 98.57 грн |
| 14+ | 62.32 грн |
| 100+ | 41.22 грн |
| 500+ | 27.46 грн |
| 1000+ | 23.04 грн |