Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH106DN-T1-GE3
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish106dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SISH106DN-T1-GE3 за ціною від 42.27 грн до 173.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH106DN-T1-GE3 SISH106DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish106dn.pdf MOSFETs 20V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.72 грн
10+109.49 грн
100+64.44 грн
500+51.49 грн
1000+48.82 грн
3000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 SISH106DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
на замовлення 5606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.02 грн
10+106.63 грн
100+72.53 грн
500+54.35 грн
1000+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish106dn.pdf SISH106DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.