SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SISH108DN-T1-GE3 за ціною від 18.24 грн до 49.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISH108DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V |
на замовлення 5971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH108DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 5175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISH108DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17.6A; Idm: 60A; 2W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Drain current: 17.6A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SISH108DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 17.6A; Idm: 60A; 2W Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Power dissipation: 2W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 20V Drain current: 17.6A On-state resistance: 6.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |