Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH108DN-T1-GE3
SISH108DN-T1-GE3

SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish108dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SISH108DN-T1-GE3 за ціною від 16.87 грн до 53.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish108dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.69 грн
17+19.01 грн
100+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 SISH108DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish108dn.pdf MOSFET 20V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.47 грн
10+46.28 грн
100+27.96 грн
500+23.39 грн
1000+20.75 грн
9000+20.30 грн
24000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish108dn.pdf SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.