Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SISH110DN-T1-GE3

SISH110DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

на замовлення 5419 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISH110DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16.9A; Idm: 60A; 2W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 16.9A, Pulsed drain current: 60A, Power dissipation: 2W, Case: PowerPAK® 1212-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 7.8mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.

Інші пропозиції SISH110DN-T1-GE3 за ціною від 54.55 грн до 54.55 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SISH110DN-T1-GE3

Виробник : Vishay

N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dn
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 20 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10+	54.55 грн

Мінімальне замовлення: 10

SISH110DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 16.9A; Idm: 60A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 2W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SISH110DN-T1-GE3

Виробник : VISHAY

товар відсутній