Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH114ADN-T1-GE3
SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISH114ADN-T1-GE3 за ціною від 17.16 грн до 81.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.23 грн
11+29.10 грн
100+27.02 грн
500+24.19 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011098189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.64 грн
500+24.15 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors tf-sish114adn-t1-ge3.pdf MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 10277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.14 грн
10+50.14 грн
100+28.69 грн
500+22.22 грн
1000+20.11 грн
3000+17.51 грн
6000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011098189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.55 грн
17+51.11 грн
100+33.64 грн
500+24.15 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.23 грн
11+29.10 грн
100+27.02 грн
500+24.19 грн
1000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 VISH-S-A0011098189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.64 грн
500+24.15 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 10277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+81.14 грн
10+50.14 грн
100+28.69 грн
500+22.22 грн
1000+20.11 грн
3000+17.51 грн
6000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 VISH-S-A0011098189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH114ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.55 грн
17+51.11 грн
100+33.64 грн
500+24.15 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.