Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH114ADN-T1-GE3
SISH114ADN-T1-GE3

SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix


tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISH114ADN-T1-GE3 за ціною від 18.54 грн до 39.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.79 грн
500+22.56 грн
1000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tf-sish114adn-t1-ge3.pdf MOSFETs 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 10332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.45 грн
100+25.15 грн
500+24.01 грн
1000+21.73 грн
3000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 5982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.52 грн
11+30.23 грн
100+28.07 грн
500+25.13 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 SISH114ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SISH114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0062 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+39.04 грн
24+35.54 грн
100+27.79 грн
500+22.56 грн
1000+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.