Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH116DN-T1-GE3
SISH116DN-T1-GE3

SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish116dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.13 грн
6000+50.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SISH116DN-T1-GE3 за ціною від 48.93 грн до 160.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.05 грн
10+102.02 грн
100+77.97 грн
500+58.62 грн
1000+53.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 SISH116DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish116dn.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.45 грн
10+110.97 грн
100+73.17 грн
500+58.51 грн
1000+54.63 грн
3000+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish116dn.pdf SISH116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.