SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 51.44 грн |
| 6000+ | 48.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SISH116DN-T1-GE3 за ціною від 50.03 грн до 160.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SISH116DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH116DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 20923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISH116DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 60A; 2W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.1A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SISH116DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 13.1A; Idm: 60A; 2W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD On-state resistance: 10mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 23nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 40V Drain current: 13.1A |
товару немає в наявності |