на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 22.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH129DN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52.1W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISH129DN-T1-GE3 за ціною від 22.09 грн до 80.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 11849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 22010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 52.1W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V |
на замовлення 5130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 33.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 71nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SISH129DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 33.3W Polarisation: unipolar Gate charge: 71nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -60A |
товару немає в наявності |