Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH402DN-T1-GE3
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish402dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISH402DN-T1-GE3 за ціною від 30.07 грн до 87.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish402dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.21 грн
10+53.47 грн
100+39.94 грн
500+33.02 грн
1000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 SISH402DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish402dn-1766671.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.97 грн
10+77.52 грн
100+52.55 грн
500+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish402dn.pdf SISH402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.