SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISH402DN-T1-GE3 за ціною від 28.97 грн до 84.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH402DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SISH402DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V |
на замовлення 5644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SISH402DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SISH402DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SISH402DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 70A; 33W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 35A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |