SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SISH407DN-T1-GE3 за ціною від 20.97 грн до 91.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH407DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 33422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH407DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V |
на замовлення 26713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH407DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 15.4A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SISH407DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -25A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 21W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SISH407DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -25A; Idm: -40A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -25A Pulsed drain current: -40A Power dissipation: 21W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 19.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 93.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |