SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sish410dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.06 грн
6000+27.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISH410DN-T1-GE3 за ціною від 27.87 грн до 113.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish410dn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-HS T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.83 грн
13+65.94 грн
100+51.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish410dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.69 грн
10+63.87 грн
100+44.16 грн
500+35.01 грн
1000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish410dn.pdf MOSFETs 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.45 грн
10+73.94 грн
100+45.57 грн
500+36.14 грн
1000+33.02 грн
3000+28.66 грн
6000+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf SISH410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.