Продукція > VISHAY > SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3 Vishay

sish410dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-HS T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH410DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm.

Інші пропозиції SISH410DN-T1-GE3 за ціною від 26.64 грн до 82.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish410dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.87 грн
500+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish410dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 4220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.92 грн
10+ 58.82 грн
100+ 45.76 грн
500+ 36.4 грн
1000+ 29.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish410dn.pdf MOSFET 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.13 грн
10+ 60.42 грн
100+ 40.89 грн
500+ 34.7 грн
1000+ 28.24 грн
3000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
SISH410DN-T1-GE3 SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.17 грн
12+ 63.72 грн
100+ 45.87 грн
500+ 36.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SISH410DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish410dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® 1212-8
товар відсутній