SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 30.05 грн |
| 6000+ | 26.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISH410DN-T1-GE3 за ціною від 27.10 грн до 110.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-HS T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V |
на замовлення 8594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISH410DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 35A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 33W Case: PowerPAK® 1212-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 41nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |