Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH434DN-T1-GE3
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish434dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SISH434DN-T1-GE3 за ціною від 32.30 грн до 99.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH434DN-T1-GE3 SISH434DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sish434dn.pdf MOSFET 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 18637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.12 грн
10+72.51 грн
100+49.07 грн
500+41.57 грн
1000+33.84 грн
3000+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 SISH434DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish434dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
на замовлення 5695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.48 грн
10+66.36 грн
100+51.34 грн
500+37.99 грн
1000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish434dn.pdf SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.