SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.75 грн |
| 10+ | 77.79 грн |
| 50+ | 58.41 грн |
| 100+ | 48.93 грн |
| 500+ | 38.59 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 20 V.
Інші пропозиції SISH434DN-T1-GE3 за ціною від 33.03 грн до 137.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH434DN-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 16603 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| SISH434DN-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
MOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 137.81 грн |
| 10+ | 86.35 грн |
| 100+ | 50.33 грн |
| 500+ | 39.65 грн |
| 1000+ | 36.26 грн |
| 3000+ | 33.03 грн |