SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 40.24 грн |
| 10+ | 34.18 грн |
| 100+ | 26.22 грн |
| 500+ | 19.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 20A, On-state resistance: 12.4mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 18W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 30nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Mounting: SMD, Case: PowerPAK® 1212-8, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SISH472DN-T1-GE3 за ціною від 23.51 грн до 51.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH472DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH |
на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SISH472DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
|
|
SISH472DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERPAK 1212 |
товар відсутній |
|||||||||||
| SISH472DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 20A On-state resistance: 12.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 18W Polarisation: unipolar Gate charge: 30nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 |
товар відсутній |