SISH472DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors


sish472dn-1766446.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.93 грн
10+50.44 грн
100+33.63 грн
500+26.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 6 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH472DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISH472DN-T1-GE3 за ціною від 18.37 грн до 73.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISH472DN-T1-GE3 SISH472DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish472dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.80 грн
10+44.62 грн
50+32.90 грн
100+27.33 грн
500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 Vishay sish472dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.99 грн
34+23.26 грн
100+22.08 грн
250+20.11 грн
500+19.00 грн
1000+18.69 грн
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 sish472dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 15 V
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.80 грн
10+44.62 грн
50+32.90 грн
100+27.33 грн
500+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 sish472dn.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.99 грн
34+23.26 грн
100+22.08 грн
250+20.11 грн
500+19.00 грн
1000+18.69 грн
3000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.