SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH536DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISH536DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67.4 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 26.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISH536DN-T1-GE3 за ціною від 12.95 грн до 68.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH536DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH536DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67.4 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 26.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH536DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 67.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V |
на замовлення 7548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH536DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH536DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67.4 A, 0.00325 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00325ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH536DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 24.7A |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISH536DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 54A; Idm: 200A; 17W Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -12...16V Gate charge: 25nC On-state resistance: 4.6mΩ Power dissipation: 17W Drain-source voltage: 30V Drain current: 54A Pulsed drain current: 200A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |