Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH617DN-T1-GE3
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish617dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+24.73 грн
6000+22.72 грн
9000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm.

Інші пропозиції SISH617DN-T1-GE3 за ціною від 21.43 грн до 101.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 VISHAY sish617dn.pdf Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.49 грн
500+29.70 грн
1500+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish617dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 14132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+59.71 грн
100+39.53 грн
500+28.95 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010925034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 16544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.92 грн
50+64.14 грн
100+42.51 грн
500+28.33 грн
1500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 SISH617DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sish617dn.pdf MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.96 грн
10+63.22 грн
100+36.44 грн
500+28.40 грн
1000+25.87 грн
3000+22.55 грн
6000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.49 грн
500+29.70 грн
1500+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13.9A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.9A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 13.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
на замовлення 14132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.26 грн
10+59.71 грн
100+39.53 грн
500+28.95 грн
1000+26.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 VISH-S-A0010925034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH617DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0123 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
на замовлення 16544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+92.92 грн
50+64.14 грн
100+42.51 грн
500+28.33 грн
1500+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
SISH617DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.96 грн
10+63.22 грн
100+36.44 грн
500+28.40 грн
1000+25.87 грн
3000+22.55 грн
6000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.