Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sish625dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.

Інші пропозиції SISH625DN-T1-GE3 за ціною від 17.48 грн до 84.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sish625dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+47.95 грн
100+31.44 грн
500+22.84 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix sish625dn.pdf MOSFETs -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.05 грн
10+51.55 грн
100+29.39 грн
500+22.77 грн
1000+20.58 грн
3000+17.83 грн
6000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010925004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010925004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
SISH625DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.29 грн
10+47.95 грн
100+31.44 грн
500+22.84 грн
1000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
SISH625DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.05 грн
10+51.55 грн
100+29.39 грн
500+22.77 грн
1000+20.58 грн
3000+17.83 грн
6000+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISH-S-A0010925004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH625DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISH-S-A0010925004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISH625DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 7000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.