Продукція > VISHAY > SISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3

SISH625DN-T1-GE3 Vishay

sish625dn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISH625DN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0056 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISH625DN-T1-GE3 за ціною від 16.08 грн до 74.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish625dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.12 грн
6000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish625dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish625dn.pdf Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0056 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 42493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+22.15 грн
1500+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish625dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish625dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.52 грн
11+36.86 грн
36+26.06 грн
98+24.60 грн
500+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sish625dn.pdf MOSFETs -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
на замовлення 39196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.65 грн
10+45.09 грн
100+26.34 грн
500+21.11 грн
1000+18.54 грн
3000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY sish625dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.42 грн
10+45.93 грн
36+31.27 грн
98+29.52 грн
500+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2786197.pdf Description: VISHAY - SISH625DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0056 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+64.04 грн
50+44.90 грн
100+30.62 грн
500+23.76 грн
1500+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sish625dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4427 pF @ 15 V
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.01 грн
10+44.37 грн
100+28.94 грн
500+20.93 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish625dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish625dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 SISH625DN-T1-GE3 Виробник : Vishay sish625dn.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 17.3A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.