Продукція > VISHAY SILICONIX > SISH892BDN-T1-GE3

SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 12920084-3
Price: 76260.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	25.42 грн
6000+	22.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISH892BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 29W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SISH892BDN-T1-GE3 за ціною від 18.92 грн до 109.98 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SISH892BDN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0013145014-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	44.64 грн
500+	31.92 грн
1000+	26.60 грн
5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 35183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.79 грн
10+	55.25 грн
100+	30.24 грн
500+	25.91 грн
1000+	23.53 грн
3000+	20.46 грн
6000+	18.92 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 6255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.20 грн
10+	59.53 грн
100+	39.43 грн
500+	28.90 грн
1000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	109.98 грн
12+	68.43 грн
100+	44.64 грн
500+	31.92 грн
1000+	26.60 грн
5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	44.64 грн
500+	31.92 грн
1000+	26.60 грн
5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

на замовлення 35183 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	74.79 грн
10+	55.25 грн
100+	30.24 грн
500+	25.91 грн
1000+	23.53 грн
3000+	20.46 грн
6000+	18.92 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V

на замовлення 6255 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	98.20 грн
10+	59.53 грн
100+	39.43 грн
500+	28.90 грн
1000+	26.29 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISH892BDN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0304 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0304ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)

на замовлення 17758 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	109.98 грн
12+	68.43 грн
100+	44.64 грн
500+	31.92 грн
1000+	26.60 грн
5000+	24.16 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.