на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 22.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISH892BDN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 29W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISH892BDN-T1-GE3 за ціною від 20.28 грн до 83.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POWPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 29W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0253ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 20374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8DC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 50 V |
на замовлення 8424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 20374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 35750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISH892BDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |