Продукція > VISHAY SILICONIX > SISHA06DN-T1-GE3
SISHA06DN-T1-GE3

SISHA06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

sisha06dn.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISHA06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 104A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SISHA06DN-T1-GE3 за ціною від 30.90 грн до 155.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISHA06DN-T1-GE3 SISHA06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisha06dn.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 15 V
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.14 грн
10+58.63 грн
100+45.84 грн
500+33.88 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 SISHA06DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors sisha06dn.pdf MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+155.03 грн
10+94.11 грн
100+53.98 грн
500+42.42 грн
1000+36.26 грн
3000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 SISHA06DN-T1-GE3 VISHAY 3983284.pdf Description: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 SISHA06DN-T1-GE3 VISHAY 3983284.pdf Description: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 sisha06dn.pdf
SISHA06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Ta), 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3932 pF @ 15 V
на замовлення 11905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.14 грн
10+58.63 грн
100+45.84 грн
500+33.88 грн
1000+30.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 sisha06dn.pdf
SISHA06DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.03 грн
10+94.11 грн
100+53.98 грн
500+42.42 грн
1000+36.26 грн
3000+32.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 3983284.pdf
SISHA06DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA06DN-T1-GE3 3983284.pdf
SISHA06DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA06DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 104 A, 3000 µohm, PowerPAK 1212-8SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.