Продукція > VISHAY SILICONIX > SISHA12ADN-T1-GE3
SISHA12ADN-T1-GE3

SISHA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.58 грн
10+46.51 грн
100+35.47 грн
500+27.51 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISHA12ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISHA12ADN-T1-GE3 за ціною від 20.72 грн до 69.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 22A
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.60 грн
10+47.14 грн
100+31.77 грн
500+26.28 грн
1000+23.85 грн
3000+20.87 грн
9000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisha12adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay sisha12adn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 SISHA12ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.