на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 17.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISHA14DN-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V.
Інші пропозиції SISHA14DN-T1-GE3 за ціною від 15.31 грн до 70.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs PPAK1212 N-CH 30V 19.7A |
на замовлення 6803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.7A 8-Pin PowerPAK 1212-8SH EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
SISHA14DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 19.7A/20A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.57W (Ta), 26.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |