Продукція > VISHAY SILICONIX > SISHA18ADN-T1-GE3
SISHA18ADN-T1-GE3

SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix


sisha18adn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISHA18ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISHA18ADN-T1-GE3 за ціною від 19.08 грн до 69.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISHA18ADN-T1-GE3 SISHA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sisha18adn.pdf MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET SH, 4.6 mO 10V, 7 mO 4.5V
на замовлення 11929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.08 грн
10+53.85 грн
100+31.93 грн
500+26.71 грн
1000+23.34 грн
3000+19.82 грн
6000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA18ADN-T1-GE3 SISHA18ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sisha18adn.pdf Description: N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SH
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 12009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
10+46.71 грн
100+34.52 грн
500+25.36 грн
1000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.