Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS02DN-T1-GE3
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

vis-siss02dn-t1-ge3.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.29 грн
10+64.52 грн
100+58.69 грн
500+46.96 грн
1000+42.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS02DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +16V, -12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SISS02DN-T1-GE3 за ціною від 42.27 грн до 128.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS02DN-T1-GE3 SISS02DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors vis-siss02dn-t1-ge3.pdf MOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 8721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.43 грн
10+81.78 грн
100+58.05 грн
500+49.17 грн
1000+42.57 грн
3000+42.35 грн
6000+42.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 Виробник : VISHAY vis-siss02dn-t1-ge3.pdf SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 SISS02DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix vis-siss02dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 51A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4450 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.