Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS04DN-T1-GE3
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 65.7W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції SISS04DN-T1-GE3 за ціною від 42.64 грн до 185.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay Siliconix vis-siss04dn-t1-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.46 грн
10+105.55 грн
50+80.16 грн
100+67.53 грн
500+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix vis-siss04dn-t1-ge3.pdf MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+185.15 грн
10+116.90 грн
100+69.84 грн
500+55.51 грн
1000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 VISHAY vis-siss04dn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 SISS04DN-T1-GE3 VISHAY vis-siss04dn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 Vishay vis-siss04dn-t1-ge3.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.83 грн
15+53.98 грн
25+53.14 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
500+43.36 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50.5A/80A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 15 V
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.46 грн
10+105.55 грн
50+80.16 грн
100+67.53 грн
500+54.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.15 грн
10+116.90 грн
100+69.84 грн
500+55.51 грн
1000+51.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
SISS04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1200 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 vis-siss04dn-t1-ge3.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 50.5A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+54.83 грн
15+53.98 грн
25+53.14 грн
100+50.41 грн
250+45.93 грн
500+43.36 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.