SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 33.75 грн |
| 6000+ | 30.31 грн |
| 9000+ | 30.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS05DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISS05DN-T1-GE3 за ціною від 33.31 грн до 144.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65.7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7 Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 16655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -86.6A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
на замовлення 10986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -86.6A; Idm: -300A; 42W Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 115nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -20...16V Pulsed drain current: -300A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -86.6A On-state resistance: 5.8mΩ Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2662 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs POWRPK P CHAN 30V |
на замовлення 45463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 0.0028 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 11039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -86,6А; Idm: -300А; 42Вт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |