SISS05DN-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 98.77 грн |
| 250+ | 66.09 грн |
| 1000+ | 44.36 грн |
| 3000+ | 38.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS05DN-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 108A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 65.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65.7W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS05DN-T1-GE3 за ціною від 36.42 грн до 149.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs PPAK1212 P-CH 30V 29.4A |
на замовлення 26898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS05DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 108 A, 3500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 65.7W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 9614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
SISS05DN-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 29.4A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SISS05DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.4A (Ta), 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |