Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS06DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3

SISS06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss06dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.65 грн
6000+32.00 грн
9000+31.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS06DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V.

Інші пропозиції SISS06DN-T1-GE3 за ціною від 30.78 грн до 133.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss06dn.pdf MOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 7332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.99 грн
10+73.42 грн
100+49.64 грн
500+42.08 грн
1000+34.29 грн
3000+32.23 грн
6000+30.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss06dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 47.6/172.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.6A (Ta), 172.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.38mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
на замовлення 13105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.00 грн
10+81.14 грн
100+54.28 грн
500+40.14 грн
1000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 SISS06DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss06dn.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 47.6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.