Продукція > VISHAY > SISS10ADN-T1-GE3
SISS10ADN-T1-GE3

SISS10ADN-T1-GE3 Vishay


siss10adn.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS10ADN-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS10ADN-T1-GE3 за ціною від 16.57 грн до 115.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss10adn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss10adn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss10adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.68 грн
6000+24.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss10adn.pdf Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 43806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.92 грн
500+30.94 грн
1000+26.07 грн
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss10adn.pdf Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 43806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.23 грн
14+64.85 грн
100+45.92 грн
500+30.94 грн
1000+26.07 грн
5000+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss10adn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 10495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.74 грн
10+64.04 грн
100+42.57 грн
500+31.31 грн
1000+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss10adn.pdf MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 10258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.82 грн
10+72.10 грн
100+41.54 грн
500+32.84 грн
1000+29.63 грн
3000+27.11 грн
6000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss10adn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss10adn.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss10adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 3.95mΩ
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 86.8A
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.