на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS10ADN-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 56.8W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS10ADN-T1-GE3 за ціною від 16.57 грн до 115.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 43806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 109A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 56.8W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 43806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V |
на замовлення 10495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 10258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SISS10ADN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 86.8A; Idm: 150A Mounting: SMD Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -16...20V Gate charge: 61nC On-state resistance: 3.95mΩ Power dissipation: 36W Drain-source voltage: 40V Drain current: 86.8A Pulsed drain current: 150A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |