
SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 48.84 грн |
6000+ | 45.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SISS22DN-T1-GE3 за ціною від 46.68 грн до 147.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SISS22DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 11830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
SISS22DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V |
на замовлення 7903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SISS22DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
SISS22DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 72.5A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® 1212-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
SISS22DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 72.5A; Idm: 150A Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 72.5A On-state resistance: 5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 44nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A Case: PowerPAK® 1212-8 |
товару немає в наявності |