Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS22DN-T1-GE3
SISS22DN-T1-GE3

SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

siss22dn.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8S, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SISS22DN-T1-GE3 за ціною від 44.14 грн до 150.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS22DN-T1-GE3 SISS22DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors siss22dn.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 7694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.04 грн
10+93.39 грн
100+59.06 грн
500+47.20 грн
1000+44.98 грн
3000+44.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3 SISS22DN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss22dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 5693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.70 грн
10+92.78 грн
100+63.11 грн
500+47.31 грн
1000+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss22dn.pdf MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISS22dn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.