Продукція > VISHAY SILICONIX > SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4142144-3
Price: 80610.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	26.87 грн
6000+	24.04 грн
9000+	23.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SISS23DN-T1-GE3 за ціною від 24.38 грн до 113.22 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

VISH-S-A0001144380-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 5434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	47.67 грн
500+	34.66 грн
1500+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V

на замовлення 4364 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

5+	96.63 грн
10+	61.29 грн
50+	41.56 грн
100+	35.38 грн
500+	25.56 грн
1000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

на замовлення 21986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.06 грн
10+	62.09 грн
100+	41.31 грн
500+	30.40 грн
1000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Vishay Semiconductors

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 17001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.22 грн
10+	70.93 грн
100+	40.86 грн
500+	32.00 грн
1000+	29.19 грн
3000+	25.53 грн
6000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 5434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.22 грн
50+	71.95 грн
100+	47.67 грн
500+	34.66 грн
1500+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 5434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	47.67 грн
500+	34.66 грн
1500+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Mounting: SMD
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 36W
Gate-source voltage: ±8V
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V

на замовлення 4364 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	96.63 грн
10+	61.29 грн
50+	41.56 грн
100+	35.38 грн
500+	25.56 грн
1000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V

на замовлення 21986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	102.06 грн
10+	62.09 грн
100+	41.31 грн
500+	30.40 грн
1000+	27.70 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S

на замовлення 17001 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	113.22 грн
10+	70.93 грн
100+	40.86 грн
500+	32.00 грн
1000+	29.19 грн
3000+	25.53 грн
6000+	24.40 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SISS23DN-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)

на замовлення 5434 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	113.22 грн
50+	71.95 грн
100+	47.67 грн
500+	34.66 грн
1500+	29.19 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.