SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.54 грн |
| 6000+ | 20.09 грн |
| 9000+ | 19.27 грн |
| 15000+ | 17.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SISS23DN-T1-GE3 за ціною від 19.93 грн до 78.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 4314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 4314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V |
на замовлення 25696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 6947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -200A Drain current: -50A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 300nC On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 36W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A Case: PowerPAK® 1212-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -200A Drain current: -50A Drain-source voltage: -20V Gate charge: 300nC On-state resistance: 4.5mΩ Gate-source voltage: ±8V Power dissipation: 36W Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| SISS23DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |