SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 45.02 грн |
| 6000+ | 41.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS26DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS26DN-T1-GE3 за ціною від 41.57 грн до 158.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 17171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 8468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V |
на замовлення 7647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SISS26DN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 37nC On-state resistance: 7.8mΩ Power dissipation: 36W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 150A Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® |
товару немає в наявності |