Продукція > VISHAY > SISS26LDN-T1-GE3
SISS26LDN-T1-GE3

SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY

siss26ldn.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.64 грн
500+45.37 грн
1000+34.10 грн
5000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SISS26LDN-T1-GE3 за ціною від 31.27 грн до 109.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2795468.pdf Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.21 грн
11+79.56 грн
100+62.64 грн
500+45.37 грн
1000+34.10 грн
5000+31.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix siss26ldn.pdf MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 206083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.56 грн
10+77.67 грн
100+47.89 грн
500+38.77 грн
1000+35.83 грн
3000+34.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+73.49 грн
100+55.70 грн
500+42.15 грн
1000+37.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss26ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay siss26ldn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix siss26ldn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 Виробник : VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Drain current: 65A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.