SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 35.14 грн |
| 6000+ | 32.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SISS26LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 81.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 57W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SISS26LDN-T1-GE3 за ціною від 34.57 грн до 113.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 57W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 15835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S |
на замовлення 206083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8S Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V |
на замовлення 8222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 81.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 15835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SISS26LDN-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 65A On-state resistance: 6.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: PowerPAK® 1212-8 Gate charge: 48nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 150A |
товару немає в наявності |