Технічний опис SISS26LDN-T1-UE3 Vishay Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 150A, Power dissipation: 36W, Gate charge: 48nC, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Drain current: 65A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: PowerPAK® 1212-8, On-state resistance: 6.2mΩ.
Інші пропозиції SISS26LDN-T1-UE3 за ціною від 37.48 грн до 124.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SISS26LDN-T1-UE3 | Vishay Siliconix |
 Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET |
на замовлення 5979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SISS26LDN-T1-UE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
Description: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.21 грн |
| 10+ | 75.73 грн |
| 50+ | 56.80 грн |
| 100+ | 47.56 грн |
| 500+ | 37.48 грн |